マテリアル インテグレーション 2000年6月号
特集 -情報・通信の変革に伴う-基板材料の新展開

巻頭言

「総論」基板材料の新展開:特集にあたって
(株)富士通研究所 材料技術研究所 丹羽 紘一

「実装基盤」1.高密度配線ビルドアップ配線板の現状と将来
日本アイ・ビー・エム(株) 野洲研究所 塚田 裕

「実装基盤」1.高密度配線全層IVH構造樹脂多層プリント配線板
松下電子部品(株) 回路基板事業部 白石 和明

「実装基盤」1.高密度配線ハイエンドサーバを実現するマルチチップモジュール用超高密度実装基板
(株)富士通研究所 材料技術研究所 横内 貴志男

「実装基盤」2.光導波路光実装技術の将来動向
NTT通信エネルギー研究所 ネットワーク装置インテグレーション研究部 小池 真司、石井 雄三、河尻 祐子、新井 芳光、安東 泰博

「実装基盤」2.光導波路並列計算機システムにおける光実装技術
RWCP光インターコネクション日立研究室 西村 信治、RWCP並列分散システムアーキテクチャ研究室 工藤 知宏

「実装基盤」2.光導波路光実装基板の材料技術動向
(株)富士通研究所 マイクロエレクトロニクス材料研究部 青木 重憲

「実装基盤」3.高周波回路用樹脂埋込み型GHz帯フェイスアップ高周波MCM
(株)日立製作所 中央研究所 山下 喜市、山田 宏治、関根 健治

「実装基盤」3.高周波回路用システムを改革する電磁特性その現状と夢
明星大学 情報学部 電子情報学科 大塚 寛治

「実装基盤」3.高周波回路用マイクロ波・ミリ波HICにおける実装技術
松下電器産業(株) 先端技術研究所 小倉 洋

「半導体応用基板」III-V族多元混晶半導体のバルク単結晶成長技術
静岡大学電子工学研究所 早川 泰弘、熊川 征司、静岡理工科大学 小澤 哲夫

「半導体応用基板」InGaAs三元混晶基板を用いた1.3μm帯高性能半導体レーザ 
(株)富士通研究所 基盤技術研究所 石川 浩

「半導体応用基板」SiC基板を用いたInGaNレーザダイオード
(株)富士通研究所 基盤技術研究所 光半導体研究部 倉又 朗人

連載入門:ジルコニアの道(未知)-Part 5-
ZrO2ファンクラブ

連載特集セラミックス開発の新兵器:TG-MS [13]三次元熱分析法(XRD-DSC)による固体反応プロセスへの応用-金属有機酸塩の脱水挙動 :その2-
理学電機(株) 熱分析事業部 有井 忠、 X線研究所 岸 証